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摘要:
通过测量硅膜片的结构设计和压力传感器外界保护结构设计,实现了压力传感器过载保护的目的.针对差压传感器表现为正负双腔和中心过载保护膜片联动保护的设计方案,即当过载压力达到超高差压之前,使高压侧膜片和基体贴合,低压侧膜片鼓出,阻止超高差压传入传感器内;对于表压和绝压传感器表现为测量端和过载保护膜片联动的设计方案,即当过载压力达到超高压之前,使测量端膜片和基体贴合,过载保护膜片鼓起,阻止超高压传入传感器内.
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文献信息
篇名 硅压力传感器的过载保护设计
来源期刊 仪表技术与传感器 学科 工学
关键词 过载压力 过载保护 硅压力传感器 测量硅膜片
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 传感器技术
研究方向 页码范围 7-8,35
页数 3页 分类号 TP212
字数 2373字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-1841.2010.01.003
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作者信息
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1 王徐坚 2 14 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
过载压力
过载保护
硅压力传感器
测量硅膜片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
仪表技术与传感器
月刊
1002-1841
21-1154/TH
大16开
沈阳市大东区北海街242号
8-69
1964
chi
出版文献量(篇)
7929
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16
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