基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究

• 作者: 丁春宝 孙博韬 张万荣 王任卿 肖盈 赵昕 金冬月 陈亮
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 热模拟 分段结构 自热效应
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 680-683
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.06.008

摘要

针对传统多指SiGe HBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGe HBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性.利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况.结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGe HBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	丁春宝	北京工业大学电子信息与控制工程学院	21	83	6.0	7.0
4	孙博韬	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	16	2.0	4.0
5	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
6	肖盈	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	20	3.0	4.0
7	王任卿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	18	2.0	4.0