单晶硅力学性能及尺寸效应的离散元模拟

• 作者: 姜胜强 李才 杨冬民 谭援强
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 单晶硅 力学特性 模拟 离散元法
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 589-594
• 页数: 6页
• 分类号: TG58
• 语种: 中文

摘要

通过建立紧密连接且随机分布在指定区域内的圆盘形颗粒离散单元的力学模型来研究单晶硅的力学性能,并采用不同尺寸的离散元模型研究力学性能尺寸效应.结果表明:泊松比、单轴抗压强度、弹性模量以及断裂韧性的尺寸效应不明显,弯曲强度则随着模型尺寸的增大而减小.建立了连续体经典断裂力学有限宽板条单边直裂纹的离散元力学模型,改变初始裂纹长度进行模拟得到的结果与单边切1:7梁模拟结果及文献报道的试验值一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭援强		88	747	15.0	22.0
2	姜胜强		21	90	6.0	9.0
3	杨冬民		6	60	4.0	6.0
4	李才		2	22	1.0	2.0