Cu-Ni-Si合金的价电子结构分析

• 作者: 任伟 刘平 田保红 贾淑果
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Cu-Ni-Si合金 EET理论 价电子结构 合金元素
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 9-11,15
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.1|TG142.45
• 字数: 1976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6871.2010.01.003

摘要

基于固体与分子经验电子理论(EET),对纯金属晶体Cu以及合金固溶体Cu-Ni、Cu-Si和Cu-Ni-Si进行价电子结构分析,建立相空间价电子结构计算模型和方法,从相空间价电子结构角度探讨合金元素的合金化行为.计算结果表明:Cu处于第15杂阶,Ni处于第8杂阶,Si处于第2杂阶,Cu-Ni-Si晶胞的最强键上共价电子数达到了0.45722,这说明合金元素Ni和Si的溶入,能够提高纯铜晶胞的原子键引力,强化铜基体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘平	上海理工大学电功能材料研究所	212	1078	16.0	22.0
2	贾淑果	河南科技大学材料科学与工程学院	132	1124	16.0	23.0
6	田保红	河南科技大学材料科学与工程学院	267	2502	22.0	30.0
7	任伟	河南科技大学材料科学与工程学院	5	50	4.0	5.0