不同栅压下NMOS器件的静电防护性能

• 作者: 朱科翰 杜晓阳 董树荣 韩雁
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电防护 二次击穿电流 传输线脉冲
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 电子,通信与自动控制技术
• 页码范围: 141-144
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2010.01.025

摘要

针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μm CMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50 ns左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩雁		62	299	9.0	15.0
2	董树荣		51	627	14.0	23.0
3	杜晓阳		2	1	1.0	1.0
4	朱科翰		1	0	0.0	0.0