硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法

• 作者: 刘芬 宋小平 王海 赵志娟 赵良仲 闫寿科
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 化学
• 关键词: X射线光电子能谱(XPS) 氧化硅 厚度测量 标准曲线
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1670-1673
• 分类号: O657.6
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2010)06-1670-04

摘要

提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiO2/Si)的厚度.该方法利用一系列氧化硅厚度(d)准确已知的SiO2/Si标准样品,分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线,并得到峰高比(R),然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线.在相同的实验条件下,测得未知样品氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比,通过插入法在标准曲线上得到相应的氧化硅层厚度.SiO2/Si标准样品由设备一流和经验丰富的权威实验室提供,其氧化硅厚度采用多种方法进行测量比对.实验表明:基于氧化硅厚度准确知道的标准样品制作的XPS标准曲线,用于硅片上超薄氧化硅层厚度测量时具有快速、简便和比较准确等优点,有较好的实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫寿科	中国科学院化学研究所	4	28	3.0	4.0
3	赵良仲	中国科学院化学研究所	23	210	6.0	14.0
4	刘芬	中国科学院化学研究所	35	278	8.0	15.0
5	王海		28	73	4.0	6.0
6	宋小平		31	105	5.0	8.0
7	赵志娟	中国科学院化学研究所	11	154	4.0	11.0