硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM-K32

• 作者: 刘芬 宋小平 王海 赵良仲 邱丽美 阚莹
• 来源期刊: 计量学报
• 学科: 工学
• 关键词: 计量学 厚度测量 栅氧化层 SiO2/Si 表面化学分析 X射线光电子能谱 关键比对
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 617-622
• 页数: 6页
• 分类号: TB99
• 字数: 3827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1158.2013.06.22

摘要

利用X射线光电子能谱技术,建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度(小于10 nm)准确测量方法.中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM-K32,根据公布的国际关键比对结果,中国计量科学研究院的测量结果与参比的各国国家计量研究院的测量结果达到了等效一致,测量结果的不确定度为4.6％～7.0％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵良仲	中国科学院化学研究所	23	210	6.0	14.0
2	刘芬	中国科学院化学研究所	35	278	8.0	15.0
3	阚莹		26	97	6.0	9.0
4	王海		28	73	4.0	6.0
5	宋小平		31	105	5.0	8.0
6	邱丽美	中国科学院化学研究所	13	190	6.0	13.0