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摘要:
采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响.结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.008 5,εr为4.55(1 MHz).抗弯强度可达到160MPa.
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文献信息
篇名 K2O-B2O3-SiO2/Al2O3LTCC复合基板材料性能研究
来源期刊 电子元件与材料 学科
关键词 低温共烧陶瓷 K2O-B2O3-SiO2 Al2O3
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 41-43
页数 分类号 M227
字数 1609字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.06.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张树人 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 187 1176 16.0 24.0
2 周晓华 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 70 468 11.0 17.0
3 李波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 69 486 12.0 17.0
4 卢中舟 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
低温共烧陶瓷
K2O-B2O3-SiO2
Al2O3
研究起点
研究来源
研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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