B-N共掺杂改善p型ZnO的理论分析

• 作者: 孙慧卿 邓贝 郭志友 高小奇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 p型掺杂 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1212-1218
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对B缺陷在ZnO中的存在形式进行了理论分析,对B-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质形成能、杂质态密度及电子结构进行了系统的研究.研究表明,B缺陷在掺杂体系中主要以B_(Zn)的形式存在,这种结构会引起相应的晶格收缩;研究发现与以往的N掺杂相比,共掺结构具有更低的杂质形成能和更高的化学稳定性,因此更加适合掺杂.此外,共掺能够形成更低的受主能级,因而减小了受主的杂质电离能,提高了受主态密度;研究显示共掺结构下的杂质N原子与体相Zn原子之间的键合能力提高,受主原子得电子的能力增强,因此B-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭志友	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	336	12.0	17.0
2	孙慧卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	25	272	9.0	16.0
3	邓贝	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	29	3.0	3.0
4	高小奇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	46	3.0	3.0