C-Cu共掺杂ZnO的p型导电性研究

• 作者: 丁罗城 李俊贤 王春安 秦盈星 符斯列 鲍佳怡
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO C-Cu共掺杂 电子态密度 有效质量 形成能
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 325-330
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.02.025

摘要

近年来,C、Cu单掺杂ZnO获得p型化的相关研究甚多,然而对于C-Cu共掺杂ZnO却鲜有研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算分析比较了C、Cu单掺杂、C-Cu分别以1:1、1:2、2:1比例共掺杂ZnO体系的晶格结构、电子态密度、空穴有效质量和形成能.研究结果表明:在本文的计算方法和模型下,各掺杂体系均能获得p型ZnO;当C-Cu以1:2比例掺入ZnO时,容易获得p型化水平更高、电子迁移效应更优、导电性更好、形成能低掺杂更稳定的半导体新材料.