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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT
来源期刊 电子设计技术 学科
关键词 电源技术 eGaN MOSFET IGBT 硅基板氮化镓 宜普电源转换EPC
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 38,42
页数 分类号
字数 2225字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1023-7364.2010.10.011
五维指标
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2010(0)
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研究主题发展历程
节点文献
电源技术
eGaN MOSFET
IGBT
硅基板氮化镓
宜普电源转换EPC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计技术
月刊
1023-7364
11-3617/TN
16开
北京市
1994
chi
出版文献量(篇)
5532
总下载数(次)
6
总被引数(次)
1789
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