掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性

• 作者: 夏海平 徐军 罗彩香 胡元 虞灿 陈红兵
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 CdWO4单晶 坩埚下降法 近红外宽带发光
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 2610-2614
• 页数: 5页
• 分类号: O782|O734|TN244
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103710.2610

摘要

采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达φ25 mm ×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶.生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色.在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396～1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037～1274 nn(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238 μs和294μs.从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱.根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关.