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摘要:
提出了新的金属一氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)器件的小信号等效电路结构,提取了等效电路结构的元件参数值,在器件建模型软件IC-CAP2008下,对等效电路模型和提取的元件参数进行编译,生成了能够应用于射频与微波领域的场效应晶体管的高频小信号器件模型,将生成的器件模型编译到高频仿真软件ADS中,并调用S参数仿真器对器件模型进行S参数仿真,最后对比了仿真结果与测试数据的差异性,对生成的器件模型做出了误差分析,展示了所建小信号模型的良好性能.
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文献信息
篇名 射频场效应晶体管的交流小信号建模技术研究
来源期刊 通信技术 学科 工学
关键词 射频 场效应晶体管 小信号 建模
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 158-160
页数 分类号 TP391
字数 2179字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-0802.2010.10.055
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王军 西南科技大学信息工程学院 47 152 6.0 9.0
2 赵常余 西南科技大学信息工程学院 3 4 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
射频
场效应晶体管
小信号
建模
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
通信技术
月刊
1002-0802
51-1167/TN
大16开
四川省成都高新区永丰立交桥(南)创业路8号
62-153
1967
chi
出版文献量(篇)
10805
总下载数(次)
35
总被引数(次)
42849
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