0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

• 作者: 吴忠洁 孔晓明 张少勇 池毓宋 王志功 黄风义
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 射频 小信号模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 373-376
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.034

摘要

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.