有机薄膜晶体管中接触效应的研究

• 作者: 孙钦军 张福俊 徐征 王永生 田雪雁 赵谡玲 高利岩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 接触效应 电荷漂移
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8125-8130
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以M0O3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42 cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16 V,开关比4.7×103.通过中间探针法,对器件电势分布做了定性判断,发现源漏端电势分布不均匀;沟道电阻RL和接触电阻RC都随着栅压VG增加而减小,并且R1减小的比RC更快;RL随源漏电压VDS增加缓慢变大.随后采用电荷漂移理论对其输出特性进行了分析和理论模拟,发现考虑接触电阻后,由实验结果计算得出的器件场迁移率增加两倍多,达到1.1 cm2/V·s.因此如何分析、减小接触电阻是OTFT器件提高性能和实现、扩大应用中要解决的重要问题之一.