过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性

• 作者: 吴艳南 周勋 周海平 徐明 徐禄祥 胡志刚
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 发光
• 年，卷（期）: 2010,（19）
• 页码范围: 27-33,48
• 分类号: TG1
• 字数: 9446字
• 语种: 中文

摘要

ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用.近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点.总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	17	78	6.0	8.0
2	周勋	贵州师范大学物理与电子科学学院	65	213	6.0	12.0
3	周海平	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	4	49	3.0	4.0
4	胡志刚	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	3	16	2.0	3.0
5	吴艳南	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	2	6	1.0	2.0
6	徐禄祥	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所	1	6	1.0	1.0