AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

• 作者: 李维峰 梁迎新 金勇 魏建华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: DX中心 双极化子 冻结
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8850-8855
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxCa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxCa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子.处于热平衡状态时,施主Si在AlxCa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李维峰	中国人民大学物理系	1	1	1.0	1.0
2	魏建华	中国人民大学物理系	1	1	1.0	1.0