高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析

• 作者: 李桃 柯磊
• 来源期刊: 上海电机学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜压敏电阻 电位梯度 导电机理
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 157-162
• 分类号: TM283
• 字数: 3395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0020.2011.03.004

摘要

通过高能球磨、丝网印刷和低温烧结制备出高压ZnO厚膜压敏电阻,并对厚膜试样进行了电学性能、物相成分和微观形貌的表征.结果表明:厚膜试样电位梯度达到3 159.4 V/mm,漏电流为36.4 μA,非线性系数为13.1,平均晶粒尺寸为1.29 μm.高能球磨和低温烧结使厚膜试样的晶粒尺寸大大减小,有效提高了电位梯度值.分析了厚膜压敏电阻单晶界体系的导电机理,发现预击穿区势垒宽度的增加和单晶界电压的提高对其非线性性能以及压敏电压的提升影响明显,决定了压敏电阻的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯磊	上海电机学院数理教学部	7	28	3.0	5.0