不同退火温度下Zn_0.96Co_0.04O薄膜的磁性研究

• 作者: 刘永刚 杨东洋
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: Zno.96Coo.040稀磁半导体薄膜高温退火磁性
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 91-92
• 页数: 2页
• 分类号: TB383

摘要

通过对磁控溅射方法制备的Zn0．96COo．040薄膜退火前后结构和磁性的研究发现，Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置，形成稀磁半导体结构，显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位，提高BMP之间发生交叠的几率，从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件，其磁性来源机制符合J．MD．Coey的BMP模型。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永刚	中国地质大学北京地球物理与信息技术学院	1	0	0.0	0.0
2	杨东洋	中国地质大学北京地球物理与信息技术学院	1	0	0.0	0.0