一种避免静电黏附失效的低应力阳极键合技术

• 作者: 侯占强 吴学忠 肖定邦 董培涛
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 微机械加工 阳极键合 吸合电压
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 精密加工
• 页码范围: 446-450
• 分类号: TB42
• 字数: 3101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.05.013

摘要

基于阳极键合过程中的静电吸合效应,提出了一种可避免静电黏附失效的低应力阳极键合技术.采用湿法腐蚀技术制作了梯形截面的硅梁结构和对应的Pyrex玻璃基底,理论分析了该结构的静电吸合电压并进行了实验验证.采用铝/铬作为玻璃基底的电极层,铬作为中间层,从而阻止阳极键合发生.由于在键合过程中形成的铬氧化物为导体,所以硅与玻璃之间的静电场消失,从而阻止了玻璃中的O2-等负离子向硅移动,避免了静电黏附失效；采用Al作为主要电极层,可以保证电极的电学特性.采用了逐步升压法,首先在200 V低电压条件下进行预键合,使结合面具有一定的连接强度,然后再提升键合电压至400V进行强化键合,在充分保证键合强度的前提下,静电力作用下的结构变形仅为400V恒压模式下的1/4,减小了静电力对键合结构产生的影响,有效改善了键合过程中产生的残余应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯占强	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	10	61	4.0	7.0
2	肖定邦	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	18	151	6.0	12.0
3	吴学忠	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	29	199	7.0	13.0
4	董培涛	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	10	7	2.0	2.0