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摘要:
由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著.带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面.这些特有的性质,例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合,使其成为一种很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料.通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料,介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题,例如基本概念、结构、性能优化、数值建模、电学性能等.
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文献信息
篇名 Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展
来源期刊 光电技术应用 学科 工学
关键词 Ⅱ类超晶格 红外探测器 甚长波红外
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 光电器件与材料
研究方向 页码范围 45-52
页数 分类号 TN362
字数 5426字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-1255.2011.02.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王忆锋 138 654 13.0 16.0
2 余连杰 24 105 6.0 8.0
3 钱明 2 9 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
Ⅱ类超晶格
红外探测器
甚长波红外
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电技术应用
双月刊
1673-1255
12-1444/TN
大16开
天津市空港经济区纬五道9号
1982
chi
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