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摘要:
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究.数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大.临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降.此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象.所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据.
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文献信息
篇名 临近空间单粒子效应的数值模型和电路模拟
来源期刊 空军工程大学学报(自然科学版) 学科 地球科学
关键词 临近空间 单粒子效应 临界电荷 电路模拟 反相器
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 基础理论研究
研究方向 页码范围 76-80
页数 分类号 V240.2|V417.6|X125
字数 3304字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-3516.2011.02.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨晓阔 空军工程大学理学院 45 108 6.0 8.0
2 蔡理 空军工程大学理学院 136 382 8.0 11.0
3 杨建军 空军工程大学科研部 139 819 14.0 20.0
4 卢虎 空军工程大学理学院 69 219 8.0 12.0
5 赵晓辉 空军工程大学理学院 15 60 5.0 7.0
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空军工程大学学报(自然科学版)
双月刊
1009-3516
61-1338/N
大16开
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52-247
2000
chi
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