氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响

• 作者: 于蕾 张远鹏 王文文 秦诗瑶
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: IWO薄膜 直流磁控溅射 氧分压 表面形貌 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 页码范围: 5-8
• 分类号: O469
• 字数: 1558字
• 语种: 中文

摘要

掺钨氧化铟(In2 O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa,氧分压为2.4×10(-1) Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10(-4)10(-4)Ω·cm,最高载流子迁移率为34 cm2 V(-1) s(-1),载流子浓度达到2.9×10(20)cm(-3),可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文文	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	20	103	5.0	9.0
2	张远鹏	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	1	2	1.0	1.0
3	秦诗瑶	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	1	2	1.0	1.0
4	于蕾	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	3	13	2.0	3.0