氧分压对NiO薄膜特性的影响

• 作者: 冯镇南 王致远 王辉 赵洋 高玉涛
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: NiO 磁控溅射 氧分压 p型半导体材料 薄膜特性
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 96-99
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2019.02.018

摘要

采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了NiO薄膜.通过X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔(Hall)测试,研究了氧分压对NiO薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性的影响.研究结果表明:NiO薄膜具有单一的(111)衍射峰.当氧分压为60％时,NiO薄膜具有较好的结晶性能.随着氧分压的升高,NiO薄膜表面逐渐变光滑.由(αhv)2-hv,曲线得到NiO薄膜的禁带宽度为3.60 ～3.77 eV.所有NiO薄膜都具有良好的p型导电特性,空穴载流子浓度为5.45×1017～2.16×1019 cm-3.