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我国首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在京成立
我国首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在京成立
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
联合体
技术
通孔
中国科学院
硅
电子研究所
封装测试
科研单位
摘要:
近日,在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下,由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康,02专项专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。
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文献信息
篇名
我国首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在京成立
来源期刊
中国集成电路
学科
工学
关键词
联合体
技术
通孔
中国科学院
硅
电子研究所
封装测试
科研单位
年,卷(期)
2011,(9)
所属期刊栏目
业界要闻
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页码范围
2-2
页数
分类号
TN405
字数
1213字
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中文
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联合体
技术
通孔
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硅
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中国集成电路
主办单位:
中国半导体行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-5289
CN:
11-5209/TN
开本:
大16开
出版地:
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
邮发代号:
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
4772
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6
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