Study of Electrical Properties of GaAs1-xSbx Thin Film Grown by VerticaI-MOCVD Using TMGa, TDMAAs, and TDMASb

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Study of Electrical Properties of GaAs1-xSbx Thin Film Grown by VerticaI-MOCVD Using TMGa, TDMAAs, and TDMASb

作者：

Andi Suhandi Pepen Arifin Selly Feranie

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MOCVD生长

薄膜

电学性能

生长温度

有机金属

化学气相沉积

GAASSB

电学特性

摘要：

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关键词云

关键词热度

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篇名	Study of Electrical Properties of GaAs1-xSbx Thin Film Grown by VerticaI-MOCVD Using TMGa, TDMAAs, and TDMASb
来源期刊	材料科学与工程：中英文A版	学科	工学
关键词	MOCVD生长薄膜电学性能生长温度有机金属化学气相沉积 GAASSB 电学特性
年，卷（期）	clkxygczy-a_2011,（2X）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	199-203
页数	5页	分类号	TN304.23
字数		语种
DOI