使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究

• 作者: 南昌大学 姚冬敏 彭学新 李鹏 江凤益 熊传兵 王立 莫春兰 辛勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN MOCVD 三乙基镓 三甲基镓
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: ·研究报告·
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: O473
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.01.020

摘要

采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试.实验结果表明,缓冲层的Ga 源不同对GaN单晶膜质量影响很大;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层,外延层不连续;以TMGa 为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源,在此得到室温载流子浓度为4.5×1017cm-3 ,迁移率为198cm2/V*s的电学性能较好的GaN单晶膜.研究结果表明:使用TEGa为外延层Ga源生长GaN,能有效地抑制不期望的蓝带的出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰		1	5	1.0	1.0
2	彭学新		1	5	1.0	1.0
3	熊传兵		1	5	1.0	1.0
4	王立		1	5	1.0	1.0
5	李鹏		1	5	1.0	1.0
6	姚冬敏		1	5	1.0	1.0
7	辛勇		1	5	1.0	1.0
8	江凤益		1	5	1.0	1.0
9	南昌大学		1	5	1.0	1.0