多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究

• 作者: 刘春香 张伟才 张春翔 杨洪星 王斌 赵权 陈亚楠
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 清洗技术 去蜡技术 多结太阳电池
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 清洗技术与设备
• 页码范围: 17-19
• 分类号: TN305.97
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.07.005

摘要

在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王斌	中国电子科技集团公司第四十六研究所	57	163	7.0	10.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	陈亚楠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	30	3.0	4.0
4	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
5	张伟才	中国电子科技集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
6	张春翔	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	5	1.0	2.0
7	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0