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Process optimization of plasma nitridation SiON for 65 nm node gate dielectrics
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Process optimization of plasma nitridation SiON for 65 nm node gate dielectrics | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 栅氧化层厚度 等离子氮化 工艺优化 栅介质 节点 纳米 可靠性优化 等效氧化层厚度 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2011,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 2673-2679 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | TN386.3 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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栅氧化层厚度
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