一种带隙基准电压源的设计与仿真

• 作者: 李勇峰 王丹 王龙业 黄娟
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 温度系数 互补金属氧化物半导体(CMOS)
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 3-5
• 分类号: TN710.4
• 字数: 1315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2011.07.002

摘要

设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80℃内变化时,温度系数为9.14×10-6℃;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压在1 250±43 mV内变化,满足设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李勇峰	西藏大学工学院	28	101	5.0	8.0
2	黄娟	西藏大学工学院	21	66	4.0	7.0
3	王龙业	西藏大学工学院	23	99	6.0	9.0
4	王丹	西南交通大学信息科学与技术学院	52	211	8.0	12.0