E系列：MOSFET

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 导通电阻 栅极电荷 n沟道功率 Super 额定电流 功率转换 乘积
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 页码范围: 28-28
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1174字
• 语种: 中文

摘要

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中