硅纳米晶的制备及影响其光致发光因素研究

• 作者: 朱江 陆明 陈家荣
• 来源期刊: 河南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Si-nc 光致发光 退火 H钝化 猝灭效应 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 58-61
• 分类号: O437|O48
• 字数: 1905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2367.2012.04.017

摘要

经过大量的实验得出硅纳米晶(Si-nc)的发光波长位置在750 nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,掺杂不同的稀土元素,是否钝化等方法对材料进行处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果表明多层结构对Si-nc的发光强度有一定的影响,掺杂不同的稀土元素后Si-nc的发光强度不同,且猝灭效应会降低Si-nc的发光强度,而钝化方法可提高Si-nc的发光强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆明	复旦大学光科学与工程系	43	131	7.0	11.0
2	陈家荣	贵州民族大学计算机与信息工程学院	14	17	1.0	3.0
3	朱江	复旦大学光科学与工程系	4	27	3.0	4.0