短波320×256抗辐射加固读出电路设计

• 作者: 李敏 李煜 梁艳 王博 白丕绩 陈虓
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 读出电路 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 705-708
• 分类号: TN215
• 字数: 3141字
• 语种: 中文

摘要

设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施.该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李煜		10	26	3.0	4.0
2	白丕绩		20	111	7.0	9.0
3	王博		7	26	3.0	5.0
4	李敏		6	14	1.0	3.0
5	陈虓		3	3	1.0	1.0
6	梁艳		4	3	1.0	1.0