硅基微型超级电容器三维微电极结构制备

• 作者: 尚正国 尤政 文春明 李东玲 温志渝 王晓峰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 超级电容器 三维微结构 硅 MEMS 电极
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-45,59
• 分类号: TM28
• 字数: 3689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.05.012

摘要

为增大硅基微型超级电容器电极结构表面积,以提高电极的电荷存储能力,采用感应耦合离子刻蚀(ICP)技术制备了超级电容器三维微电极结构,研究了刻蚀、钝化气体流量和射频功率及电极电压等工艺参数对所制电板结构的影响.要取得较理想的结果,须根据刻蚀的一般规律和所用设备的具体特点,结合实际要求来确定工艺参数.在掩膜宽度为25 μm时,所制三维电板结构表面规则平整,比二维电板结构表面积增大8.38倍.