Soitec针对平面和三维晶体管的全耗尽技术提出产品发展蓝图

• 作者: 丛秋波
• 来源期刊: EDN CHINA 电子设计技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽技术FD 三维晶体管FinFET Soitec
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 76-76
• 页数: 1页
• 分类号: TN386
• 字数: 1403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1023-7364.2012.06.034

摘要

Soitec公司应行业向全耗尽（FD）过渡的需求,提供了一种能够以低风险的方式更早过渡到先进节点的方法。日前,Soitec发布了专为开发平面和三维晶体管（FinFET）而设计的全耗尽（FD）硅技术的产品发展蓝图，独特的FD技术能够解决半导体行业当前所面临的挑战：加速开发时间和更低成本、更高性能与更低功耗的需要。