硅基支撑系统的光刻工艺

• 作者: 张继成 罗跃川
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基支撑系统 光刻 线宽偏差 正交试验 BP神经网络
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 2673-2676
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122411.2673

摘要

为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合.在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证.最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90 s；曝光时间5 s；显影温度15℃,时间90 s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张继成	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	29	254	9.0	15.0
2	罗跃川	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	16	3.0	3.0