325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应

• 作者: 何源 徐波 李中泉 沙鹏 潘卫民 王光伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 二次电子倍增 增长率 spoke腔 二次电子发射系数
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 2723-2726
• 页数: 4页
• 分类号: TN815
• 字数: 2908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122411.2723

摘要

采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度.模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一阶倍增；spoke腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶倍增；二次电子倍增在加速腔压为0.65MV时的增长率最高,而腔压大于1 MV时,增长率均为负,即无倍增发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院高能物理研究所	92	929	15.0	27.0
2	何源	中国科学院近代物理研究所	37	97	6.0	7.0
3	李中泉	中国科学院高能物理研究所	6	18	2.0	4.0
4	王光伟	中国科学院高能物理研究所	32	102	5.0	8.0
5	潘卫民	中国科学院高能物理研究所	13	30	3.0	5.0
6	沙鹏	中国科学院高能物理研究所	8	95	3.0	8.0