二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响

• 作者: 刘庆想 周海京 庞健 董志伟 董烨
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二次电子倍增 射频建场 粒子模拟 等效电路
• 年，卷（期）: 2018,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 305-315
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180656

摘要

建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模拟表明:射频平板腔建场过程中不存在二次电子倍增的情况下,腔体Q值越高,建场时间越长,注入能量等于腔体储能和腔体耗能,建场前期腔体储能速度快于耗能速度,建场后期腔体耗能速度快于储能速度,建场成功后平均腔体消耗功率与平均注入功率相等.射频平板腔建场过程中存在二次电子倍增情况下,腔体Q值越高,进入二次电子倍增的时刻越晚,二次电子倍增作用时间越长;二次电子发射面积越大,二次电子电流峰值越高.二次电子倍增的持续加载,最终会导致射频平板腔建场过程的失败;腔体Q值越高或二次电子发射面积越大,射频平板腔建场成功的概率越低.相关模拟结果可为工程设计提供一定的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周海京		120	495	10.0	14.0
2	董烨	西南交通大学物理科学与技术学院	49	210	9.0	10.0
4	董志伟		111	478	10.0	12.0
5	刘庆想	西南交通大学物理科学与技术学院	147	1039	16.0	24.0
6	庞健	中国工程物理研究院流体物理研究所	18	17	2.0	3.0