一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT

• 作者: 关旭 吴琼乐 柏文斌 王泽华 管超 陈吕赟
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 横向绝缘栅双极型晶体管 超结器件 阳极辅助栅 关断时间
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 114-117
• 分类号: TN303
• 字数: 2439字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2012.01.025

摘要

提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT).该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构.这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快.文章对器件的一些关键参数(如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真.仿真结果表明,提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比,关断速度可以提高30％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柏文斌	电子科技大学功率集成技术实验室	4	2	1.0	1.0
2	关旭	电子科技大学功率集成技术实验室	1	2	1.0	1.0
3	吴琼乐	电子科技大学功率集成技术实验室	1	2	1.0	1.0
4	王泽华	电子科技大学功率集成技术实验室	1	2	1.0	1.0
5	管超	电子科技大学功率集成技术实验室	2	2	1.0	1.0
6	陈吕赟	电子科技大学功率集成技术实验室	1	2	1.0	1.0