Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜的磁控溅射制备及电学性能

• 作者: 万龙 何明霞 余乐 刘劲松 刘建宁 彭洁 曹安 李子全 蒋维娜 陈建康
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 Ge/SiO2薄膜 Ge/ZnO/SiO2薄膜 电流-电压性能
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 103-105
• 分类号: TB383.2
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2012.04.035

摘要

采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜.X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰；傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰；扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量.同时,对所得薄膜材料的电流—电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻；ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体；Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通.