25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性

• 作者: 李达维 秦军瑞 陈书明
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 鱼鳍型场效应晶体管 单粒子效应 工艺参数相关性 电荷收集
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 计算机科学与技术·数学与系统科学
• 页码范围: 127-131
• 分类号: TP302
• 字数: 2963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2012.05.024

摘要

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性.研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度.对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38％,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79％.这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	秦军瑞	国防科技大学计算机学院	6	23	4.0	4.0
3	李达维	国防科技大学计算机学院	1	4	1.0	1.0