使ESD保护匹配工艺尺寸进步

• 作者: Robert Ashton
• 来源期刊: 今日电子
• 学科: 工学
• 关键词: ESD保护 工艺尺寸 CMOS技术 CMOS晶体管 IC工艺 特征尺寸 匹配 半导体供应商
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 专题特写
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TN912.3
• 字数: 2400字
• 语种: 中文

摘要

IC工艺技术趋势 先进的CMOS技术使半导体供应商能够生产特征尺寸日趋减小的集成电路（IC）。减小IC特征尺寸的优势不计其数。特征尺寸越小，使电路可以占用更小的面积，IC能够以更小的硅片面积承载更多功能，而且每颗IC的成本更低。特征尺寸更小的CMOS晶体管的性能也更高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Robert Ashton		1	0	0.0	0.0