镁合金表面制备硅掺杂类金刚石膜的性能研究

• 作者: 李庆刚 王修春 罗庆丽 罗庆刚
• 来源期刊: 山东科学
• 学科: 工学
• 关键词: 化学转化膜 射频等离子化学气相沉积 硅掺杂类金刚石 镁合金
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 67-71,75
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 1331字
• 语种: 中文

摘要

将无铬化学转化新工艺与射频等离子化学气相沉积（PECVD）技术相结合，先在镁合金表面生成一层多孔结构、附着力高的化学转化膜作为过渡层，再采用PECVD技术低温沉积一层硅掺杂类金刚石（Si—DLC）薄膜复合涂层。扫描电子显微镜和拉曼光谱图分析证实，获得的薄膜由sp2和sp3键杂化的碳硅氢化合物呈层状堆积而成，薄膜均匀、平整致密；制备的薄膜为典型的类金刚石结构。原子力显微镜直观地观察到，掺杂硅的类金刚石薄膜比未掺杂的平整致密。当硅含量达到20％时，得到的DLC薄膜最为平整致密，无铬化学转化膜层均被含硅的DLC薄膜覆盖。性能测试实验表明，将化学转化膜作为中间过渡层并采用PECVD沉积合硅的DLC薄膜明显提高了镁合金基体与其的结合强度，同时也大幅度提高了镁合金的耐磨、耐高温和耐蚀性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王修春	山东省科学院新材料研究所	12	140	6.0	11.0
2	李庆刚	山东省科学院新材料研究所	5	20	2.0	4.0
3	罗庆丽	山东省劳动职业技术学院基础部	1	0	0.0	0.0
4	罗庆刚		1	0	0.0	0.0