LDMOS模型设计及参数提取

• 作者: 文燕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS JFET 模型 漂移区
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 23-26
• 分类号: TN402
• 字数: 1718字
• 语种: 中文

摘要

近年来,LDMOS由于其漏极、栅极和源极都在芯片表面,易于和低压器件集成,因而被广泛应用到功率集成电路和射频领域,一直以来,高压LDMOS的建模是一个十分复杂的问题.文章通过分析高压LDMOS的结构和物理特性,得到高压LDMOS的准饱和特性、自热效应和漂移区的压控电阻特性,这些特性类似JFET的特性,从而建立了高压LDMOS器件的MOS+JFET新的电路模型.通过设计一套1.0μm 40V LDMOS的模型版,在CMOS工艺线上流片提取参数,实验结果表明该模型的解析值和实测值符合良好,而且还体现了LDMOS器件的固有特性.因而该种新模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的工程应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文燕		3	3	1.0	1.0