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西安电子科技大学学报(自然科学版)期刊
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一种高性能BiCMOS差分参考电压源
一种高性能BiCMOS差分参考电压源
作者:
刘帘曦
朱樟明
杨银堂
赵磊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
带隙基准源
零反馈补偿
BiCMOS
差分参考电压
摘要:
采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC0.35μm3.3VBiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在低频和100MHz时,参考差分电压对电源噪声抑制比为78.1dB和66.7dB,对地线噪声抑制比为72.4 dB和63.8dB,输出差分参考电压的平均温度系数为11×10-6/℃,有效芯片面积为2.2mm2,功耗小于15mW,可应用于14位100 MHz流水线模/数转换中
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文献信息
篇名
一种高性能BiCMOS差分参考电压源
来源期刊
西安电子科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
带隙基准源
零反馈补偿
BiCMOS
差分参考电压
年,卷(期)
2012,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
11-16
页数
6页
分类号
TN433
字数
4882字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2400.2012.04.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨银堂
西安电子科技大学微电子学院
420
2932
23.0
32.0
2
朱樟明
西安电子科技大学微电子学院
164
1318
18.0
26.0
3
刘帘曦
西安电子科技大学微电子学院
22
372
10.0
19.0
4
赵磊
西安电子科技大学微电子学院
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
零反馈补偿
BiCMOS
差分参考电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
西安电子科技大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-2400
CN:
61-1076/TN
开本:
出版地:
西安市太白南路2号349信箱
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
4652
总下载数(次)
5
总被引数(次)
38780
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