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摘要:
采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂.基于ASMC0.35μm3.3VBiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,在低频和100MHz时,参考差分电压对电源噪声抑制比为78.1dB和66.7dB,对地线噪声抑制比为72.4 dB和63.8dB,输出差分参考电压的平均温度系数为11×10-6/℃,有效芯片面积为2.2mm2,功耗小于15mW,可应用于14位100 MHz流水线模/数转换中
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文献信息
篇名 一种高性能BiCMOS差分参考电压源
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 带隙基准源 零反馈补偿 BiCMOS 差分参考电压
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 11-16
页数 6页 分类号 TN433
字数 4882字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.04.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子学院 420 2932 23.0 32.0
2 朱樟明 西安电子科技大学微电子学院 164 1318 18.0 26.0
3 刘帘曦 西安电子科技大学微电子学院 22 372 10.0 19.0
4 赵磊 西安电子科技大学微电子学院 2 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
零反馈补偿
BiCMOS
差分参考电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
出版文献量(篇)
4652
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