磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究

• 作者: 何知宇 刘光耀 朱世富 杨辉 樊龙 王小元 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷硅镉 双层石英安瓿 低温气相输运
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1483-1487
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 2833字
• 语种: 中文

摘要

分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因.采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉.在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法使元素化合反应充分、完全,避免了合成中间产物聚集引起容器爆炸,成功合成出了完整、光滑、致密的CdSiP2多晶锭.采用X射线衍射(XRD)对多晶锭进行分析,结果表明:合成材料为高纯单相的CdSiP2多晶体,为CdSiP2单晶体的生长奠定了可靠基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	樊龙	四川大学材料科学系	7	22	3.0	4.0
6	杨辉	四川大学材料科学系	16	50	5.0	6.0
7	刘光耀	四川大学材料科学系	3	14	2.0	3.0
8	王小元	四川大学材料科学系	4	22	3.0	4.0