β-FeSi2/Si异质结的制备及性质研究

• 作者: 张晋敏 张立敏 熊锡成 谢泉 赵清壮 郑旭
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 β-FeSi2/Si异质结 输运性质
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1469-1471
• 页数: 3页
• 分类号: TB34|TB303
• 字数: 2036字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si（100）衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/（V.s）。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	张晋敏	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	47	261	7.0	15.0
3	郑旭	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	4	19	3.0	4.0
4	熊锡成	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	5	15	2.0	3.0
5	赵清壮	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	4	12	2.0	3.0
6	张立敏	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	2	5	1.0	2.0