980nm垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备

• 作者: 刘国军 曲轶 李再金 王立军 薄报学
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 欧姆接触 合金
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子学与光电子器件
• 页码范围: 249-252
• 分类号: TN248.4
• 字数: 644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20124102.0249

摘要

研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用NGaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Q,同时对比了440℃和450℃器件的输出功率和转换效率之间的对比关系.测试结果表明,440℃器件的欧姆接触电阻0.04 Q,峰值波长980.1 nm,光谱的半高宽0.8 nm,平行发散角θ(‖)15.2°,垂直发散角θ13.5°,输出功率1.4W,转换效率最大值为14.4％,而450℃的器件欧姆接触电阻为0.049 Q,输出功率为1.3W,转换效率为12.8％.通过优化合金温度能有效地降低980 nm的VCSEL欧姆接触电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立军	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态实验室	131	1339	19.0	31.0
2	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
3	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0
4	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
5	李再金	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	13	35	4.0	5.0