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摘要:
上海和旧金山2012年3月15日电/美通社亚洲/一中微半导体设备有限公司(以下简称“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSv)刻蚀设备PrimoTSV200E--该设备结构紧凑且具有极高的生产率,可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子刻蚀设备Primo D-RIE和Primo AD-RIE之后,中微的这一TSV刻蚀设备将被用于生产芯片的3D封装、CMOS图像感测器、发光二极管、微机电系统等。
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文献信息
篇名 中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备PrimoTSV200E(TM)
来源期刊 电脑与电信 学科 工学
关键词 刻蚀设备 3D封装 3D芯片 通孔 微机电系统 半导体设备 微电子器件
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 新闻链接
研究方向 页码范围 15-15
页数 1页 分类号 TN405
字数 1565字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
刻蚀设备
3D封装
3D芯片
通孔
微机电系统
半导体设备
微电子器件
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑与电信
月刊
1008-6609
44-1606/TN
大16开
广州市连新路171号国际科技中心B108室
1995
chi
出版文献量(篇)
8962
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13
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