影响碳化硅光导开关最小导通电阻的因素

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 姜苹 李洪涛 袁建强 谢卫平 赵越
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 光导开关 碳化硅 导通电阻 载流子迁移率 载流子寿命
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 开关
• 页码范围: 607-611
• 分类号: TM836
• 字数: 3098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122403.0607

摘要

采用2种电阻率的钒掺杂半绝缘6H-SiC晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关,分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验.对比实验结果表明:高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅光导开关,耐压从4 kV提高到了 32 kV；但高暗态电阻率的开关导通电阻也较大,导通电阻为kΩ量级,比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百Ω增加了1个量级.通过激光脉冲波形与光电流脉冲波形的比较,估算出2种光导开关的载流子寿命和载流子迁移率.将这2个参数与砷化镓光导开关进行比较,推导出低的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要原因.在实验和分析的基础上改进设计,研制出了工作电压超过10 kV、工作电流超过90 A的碳化硅光导开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	中国工程物理研究院流体物理研究所	20	162	7.0	12.0
2	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
3	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
4	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
5	赵越	中国工程物理研究院流体物理研究所	10	37	4.0	5.0
6	姜苹	中国工程物理研究院流体物理研究所	10	49	4.0	6.0